ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Общие свойства и классификация полупроводников
Полупроводники по удельному сопротивлению, которое при комнатной температуре составляет 10-6–109 Ом×м, зан имают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Они обладают совокупностью физических свойств, которые выделяют их среди других материалов.
В отличие от проводников электропроводность полупроводников увеличивается с ростом температуры (рис. 4.1). Для полупроводников характерна зависимость значения удельной проводимости от вида и количества содержащихся в них примесей. Например, при введении в чистый кремний 0,001 % фосфора его удельная проводимость увеличивается в 105 раз.
|
Рис. 4.1. Зависимость удельной проводимости от температуры для металлов (а) и полупроводников (б)
Свойства полупроводниковых материалов сильно зависят от внешних факторов – электрического и магнитного полей, электромагнитного и ядерного излучений и др.
По химическому составу полупроводниковые материалы делят на простые вещества (атомные, элементарные полупроводники – германий, кремний, теллур и др.) и химические соединения различных типов. Если входящие в состав соединений вещества обозначить как А и В, то основные типы бинарных соединений представляют следующим образом: AIIBVI(Cu2O, CuS и др.), AIIIBV(GaAs, GaP, InP и др.), AIVBIV(SiC и др.). Полупроводниковые свойства присущи тройным соединениям CuAlS2, CuSbS2, CuFeS2, ZnSiAs2, PbBiSe2 и твердым растворам GeSi, GaAs1-xPx, InxAl1-xSb и др. К твердым органическим полупроводникам относятся фталоцианин, антрацен, нафталин и др.
Основным типом химической связи между атомами в элементарных полупроводниках является ковалентная, в химических соединениях – смешанная ионно-ковалентная. Наиболее распространенными типами кристаллической структуры являются структура типа алмаза (ГЦК с базисом) для простых веществ; сфалерита и вюрцита – для химических соединений. По структуре полупроводниковые материалы могут быть монокристаллическими, поликристаллическими и неупорядоченными (стеклообразными).
Уникальные свойства полупроводниковых материалов обусловили широкое техническое применение их для изготовления самых различных приборов – полупроводниковых диодов, транзисторов, тиристоров, фотодиодов, фототранзисторов, светодиодов, полупроводниковых лазеров, а также датчиков давлений, магнитных полей, температур, излучений и др. Использование полупроводников вызвало коренные преобразования в радиотехнике, кибернетике, автоматике, телемеханике. Полупроводниковая электроника открыла новые пути микроминиатюризации различного электронного оборудования.